受試器件應以一定的方式安裝、暴露在規(guī)定的溫濕度環(huán)境中，并施加規(guī)定的偏置電壓。器件應避免暴露于過熱、干燥或?qū)е缕骷凸ぱb夾具上產(chǎn)生冷凝水的環(huán)境中，尤其在試驗應力上升和下降過程中。

實驗程序：

1、預處理

適用時，應按照相關標準進行預處理。

2、初始檢測

試驗樣品應按照相關標準規(guī)定，進行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

3、上升

達到穩(wěn)定的溫度和相對濕度的時間應少于3h。通過保證在整個試驗時間內(nèi)高低溫濕熱試驗箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。

4、下降

下降時間應不超過3h。通過保證在整個試驗時間內(nèi)高低溫濕熱試驗箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。

5、器件內(nèi)部濕氣穩(wěn)定時間

由于濕氣穿透器件外殼并抵達芯片表面需要一定的時間，因此當高低溫濕熱試驗箱內(nèi)環(huán)境溫度和濕度達到穩(wěn)定后，應繼續(xù)保持直至濕氣完全抵達芯片表面。由于環(huán)氧樹脂相較于硅膠，其抵御濕氣進入的能力強得多，因此對于環(huán)氧樹脂封裝器件穩(wěn)定時間不少于336h，硅膠封裝器件穩(wěn)定時間不少于24h。

6、試驗計時

器件按6.5的要求進行充分穩(wěn)定后，開始施加規(guī)定的偏置電壓，此時試驗計時開始。當達到規(guī)定的持續(xù)時間，溫濕度開始下降時計時結(jié)束。

7、施加偏置電壓

器件按6.5的要求進行充分穩(wěn)定后，開始施加規(guī)定的偏置電壓。當試驗結(jié)束且恢復完成后，再將偏置電壓移除。施加偏置電壓時，若受試器件為絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或場效應晶體管(MOSFET)，其柵極和發(fā)射極或柵極和源極之間應可靠短路或施加負壓。

8、中間檢測

如果要求進行中間檢測，當檢測完成后，應重新按6.5的要求充分穩(wěn)定后，再施加偏置電壓并重新計時。

9、完成檢測

試驗結(jié)束，試驗樣品恢復常溫后，在48h內(nèi)應按照相關標準規(guī)定，進行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

10、失效判據(jù)

如果器件不能通過規(guī)定的終測試，或按照適用的采購文件和數(shù)據(jù)表中規(guī)定的正常和極限環(huán)境中不能驗證其功能，器件視為失效。

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